隔离衬底层两面薄膜的方法及异质结太阳能电池制备工艺 CN201310398369.8

　
本发明公开了一种隔离衬底层两面薄膜的方法，该方法的步骤如下：1）在衬底层正面和/或背面的四周并且靠近衬底层边缘的部位光刻出向外凸起的光刻胶窄线；2）在衬底的正面和背面分别依次生产相应的薄膜层；3）在形成太阳能电池的银栅极工序之前，采用有机溶剂去除步骤1）中的光刻胶窄线；4）采用低温银浆丝网印刷银栅极，并且在其过程中，对低温银浆进行烘干处理，使步骤3）中采用的有机溶剂挥发掉。本发明不仅能够有效避免由于衬底层两面的薄膜相电性连接而发生的电池漏电或短路的现象，而且能够避免激光隔离和机械隔离方法等对电池所造成的损伤，保证对电池的效率不产生影响。
专利号：201310398369.8
专利申请日：2013.09.05
公开（公告）日：2013.12.04
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司
发明（设计）人：崔艳峰;袁声召
国别省市：江苏;32