一种太阳能电池锗衬底片的腐蚀方法 CN201310179353.8

　
本发明公开了一种太阳能电池锗衬底片的腐蚀方法，包括以下步骤：1200~1300ml的纯水和140~150ml质量浓度为48~50%的氢氟酸形成1号腐蚀药液，将锗片依次放入卡塞中，用纯水进行冲淋后浸入1号腐蚀药液中，晃动卡塞，锗片腐蚀7~10秒后，取出，迅速放入纯水水槽中清洗，再用纯水冲淋；150~160ml质量浓度不小于99.7%的冰醋酸、3~5ml质量浓度为99.5%的溴水和250~260ml质量浓度为98%的硝酸形成2号腐蚀药液；将装有锗片的卡塞浸入2号腐蚀药液中，晃动卡塞，锗片腐蚀20~30秒后立即取出，放入纯水水槽中清洗，再用纯水冲淋，最后将卡塞连同锗片一起放入流水槽中；通过本发明所述方法进行腐蚀，增强了锗片的强度，强度都在18bf以上，大大降低了锗片的破损率。
专利号：201310179353.8
专利申请日：2013.05.15
公开（公告）日：2013.08.07
申请（专利权）人：中锗科技有限公司
发明（设计）人：王卿泳;孙小华;郭德文;赵双艳
国别省市：江苏;32