一种β-SiC微粉和晶须的合成方法 CN201310303598.7

本发明涉及固相合成碳化硅微粉技术领域，特别公开了一种β-SiC微粉和晶须的合成方法。该β-SiC微粉和晶须的合成方法，以粉碎后混合均匀的碳质原料和硅质原料为反应料，其特征为，将反应料装入真空电阻炉内，封闭真空电阻炉炉体，对真空电阻炉抽真空至炉内压力为100Pa以下，然后向真空电阻炉通电加热至1400K~1500K，开始保温；当真空电阻炉内压力维持在10Pa以下超过60分钟时，停止对真空电阻炉供电，自然冷却，得到产品。本发明能对SiC微粉和晶须合成条件进行精确控制，工艺流程简单，生产成本低，可工业化合成β-SiC微粉和晶须，合成的β-SiC微粉和晶须晶形完整、纯度高、质量好。
专利类型：发明
专利号：201310303598.7
专利申请日：2013.07.19
公开（公告）日：2013.11.13
申请（专利权）人：张兴材
发明（设计）人：张兴材
国别省市：山东;37