一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法 CN201310282762.0
本发明公开了一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法，其采用一种新的湿法刻蚀的碱槽结构，所述碱槽分为两个独立的部分，分别为浸泡区和喷淋区，两个区域有独立的槽体并具有独立的控制功能，所述的控制功能包括控制碱液的浓度、温度以及补水和添加药液的功能；在所述碱槽的浸泡区采用“水上漂”的方式，通过碱液的腐蚀完成背抛光，在所述碱槽的喷淋区采用喷淋的方式，对硅片的正表面和背面进行喷淋，去除硅片表面的多孔硅。本发明能够在不影响硅片正面的情况下，实现太阳能电池生产中背抛光的目标，操作简单，效果优越。
专利类型：发明
专利号：
201310282762.0专利申请日：
2013.07.08公开（公告）日：
2013.10.23申请（专利权）人：
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司发明（设计）人：
李茂林;涂宏波;王学林;刘自龙;李仙德;陈康平;金浩国别省市：
浙江;33
