一种制备CdTe多晶薄膜的方法 CN201210265539.0

一种制备CdTe多晶薄膜的方法。其特征在于通过磁控溅射方法，对基片施加偏压，获得不同形貌的CdTe多晶薄膜，改善了晶粒尺寸、表面粗糙度、不同相组成、晶体的结晶质量。通过基片施加偏压，可以得到CdCl2退火处理前后均没有内应力的薄膜，CdCl2退火处理后，晶粒尺寸的大小得到了优化，明显提高了CdTe多晶太阳能电池的转化效率。
专利类型：发明
专利号：201210265539.0
专利申请日：2012.07.27
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.21
分类号：
申请（专利权）人：china科学院电工研究所
发明（设计）人：刘向鑫;李辉
国别省市：北京;11