太阳能电池及其制造方法 CN201310015979.5

本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：由n型晶体半导体形成的基板；位于基板的第一表面的p型发射极区；位于基板的与第一表面相反的第二表面上的第一介电层；分别位于发射极区和第一介电层上的第二介电层；位于在所述发射极区上的第二介电层上的第三介电层；位于基板的第一表面上并与发射极区连接的第一电极；和位于基板的第二表面上并与基板连接的第二电极。
专利类型：发明
专利号：201310015979.5
专利申请日：2013.01.16
公开（公告）日：2013.10.23
申请（专利权）人：LG电子株式会社
发明（设计）人：李京洙;河万孝;李圣恩
国别省市：韩国;KR