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抗辐照太阳能电池制备方法 CN201610550758.1


本发明公开了一种抗辐照太阳能电池制备方法,包括六个步骤:在单晶硅片表面形成SiO2层;在SiO2层上溅射钨掩蔽膜;在钨掩蔽膜上刻蚀钨掩蔽膜图形;对刻蚀完毕的钨掩蔽膜进行磷离子叠加注入;低温退火;高温扩散。本发明制备工艺简便、可靠性高、不影响太阳能电池充电。
专利类型:发明
专利号:201610550758.1
专利申请日:2016.07.14
公开(公告)日:2016.10.26
申请(专利权)人:江苏万邦微电子有限公司;
发明(设计)人:窦延军; 张林; 张春秋;
国别省市:江苏;32


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