抗辐照太阳能电池制备方法 CN201610550758.1
本发明公开了一种抗辐照太阳能电池制备方法，包括六个步骤：在单晶硅片表面形成SiO2层；在SiO2层上溅射钨掩蔽膜；在钨掩蔽膜上刻蚀钨掩蔽膜图形；对刻蚀完毕的钨掩蔽膜进行磷离子叠加注入；低温退火；高温扩散。本发明制备工艺简便、可靠性高、不影响太阳能电池充电。
专利类型：发明
专利号：
201610550758.1
专利申请日：
2016.07.14
公开（公告）日：
2016.10.26
申请（专利权）人：
江苏万邦微电子有限公司;
发明（设计）人：
窦延军; 张林; 张春秋;
国别省市：
江苏;32
