一种硅基异质结电池的制备方法 CN201510559256.0

本发明公开了一种硅基异质结电池的制备方法，其包括：提供N型硅片；在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层和种子铜层；分别在两面的种子铜层上铺设感光干膜，通过曝光和显影在种子铜层上形成栅线图案；通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生成********以去除种子铜层上的碳残留物；在种子铜层的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极。本发明去除了种子铜层上的残留物，提高了太阳能器件可靠性和性能。
专利类型：发明
专利号：201510559256.0
专利申请日：2015.09.06
公开（公告）日：2017.03.15
申请（专利权）人：钧石(china)能源有限公司;
发明（设计）人：杨与胜; 王树林;
国别省市：福建;35