一种全背电极太阳能电池的生产工艺 CN201610046118.7

本发明公开了一种全背电极太阳能电池的生产工艺，包括：(1)在n型硅衬底硅片背面形成具有指状交叉排列的背面n+扩散层区域、背面p+扩散层区域；在n型硅衬底硅片前表面形成前表面n+扩散层；(2)将n型硅衬底硅片进行退火氧化处理形成氧化层；(3)在n型硅衬底硅片的前表面和背面沉积钝化层；在前表面钝化层上沉积增反层；(4)将导电浆料印刷在背面钝化层上，烧结后，分别在背面p+扩散层区域和背面n+扩散层区域上形成接触电极，完成全背电极太阳能电池的制造。本发明将单一导电浆料同时印刷在背面p+扩散层和n+扩散层上的钝化层上，烧结后在p+扩散层和n+扩散层上形成低接触电阻的指状交叉导电电极，简化了IBC电池的生产工艺，降低了IBC电池的生产成本。
专利类型：发明
专利号：201610046118.7
专利申请日：2016.01.22
公开（公告）日：2016.04.13
申请（专利权）人：四川银河星源科技有限公司;
发明（设计）人：李运钧; 朱航; 杨蔚; 曾国平; 杨墨熹; 李昕;
国别省市：四川;51