锂二次电池用硅基纳米复合阴极活性物质的制造方法及利用其的锂二次电池

本发明涉及锂二次电池用硅基纳米复合阴极活性物质的制造方法及利用其的锂二次电池，本发明的技术要旨是，包括在位于甲醇基溶剂气氛中的两个电极之间安装硅基线，通过高压脉冲放电，制造硅基纳米粒子分散的分散溶液的第1步骤、和将所述硅基纳米粒子和异种材料复合化，制造硅基纳米复合体的第2步骤的锂二次电池用硅基纳米复合阴极活性物质的制造方法及利用其的锂二次电池。由此将所述硅基纳米复合阴极活性物质使用在锂二次电池，基于围绕高容量特性硅基纳米粒子的异种材料，提高电子传导和锂离子传导，缓冲充放电伴随的活性物质的体积膨胀，由此具有能够提供改善了电池的容量和充放电循环特性的锂二次电池的优点。
专利类型：发明
专利号：201280004196.0
专利申请日：2012.01.16
公开（公告）日：2013.08.28
申请（专利权）人：韩国电气研究院
发明（设计）人：河闰哲;都七焄;曹柱铉
国别省市：韩国;KR