太阳能晶硅电池的制造方法 CN201310186555.5
本发明提供了一种太阳能晶硅电池的制造方法，该方法包括：提供硅基片；对所述硅基片进行第一次离子注入；对所述硅基片进行第一次退火；对所述硅基片进行第二次离子注入；对所述硅基片进行第二次退火；对所述硅基片进行后续加工以形成太阳能晶硅电池。实施本发明，通过两次离子注入及相应的退火形成太阳能晶硅电池的P-N结，可以使太阳能晶硅电池的横向电阻和接触电阻更接近理想值，从而提升该太阳能晶硅电池的发电效率。
专利类型：发明
专利号：
201310186555.5专利申请日：
2013.05.17公开（公告）日：
2013.08.28申请（专利权）人：
浙江正泰太阳能科技有限公司发明（设计）人：
单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;陆川;仇展炜国别省市：
浙江;33
