光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池 CN201310144561.4

　
本发明公开了一种光面晶体硅太阳能电池，它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠，其折射率由上至下梯度增大；所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上，所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。本发明通过选取合适的高透陷光膜、氧化膜钝化层材质，优化高透陷光膜、氧化膜钝化层与光面晶体硅的折射率，可提高晶体硅对太阳光高效吸收而不产生晶体硅高温扩散不一致、晶格位错缺陷、接触电阻增大等不利影响，且制造简单，成本低。
专利号：201310144561.4
专利申请日：2013.04.24
公开（公告）日：2013.08.07
申请（专利权）人：集美大学
发明（设计）人：许志龙;皮钧;刘菊东;黄种明;杨小璠;任永臻;侯达盘;刘伟钦;林忠华
国别省市：福建;35