薄膜型太阳能电池及其制造方法 CN201180056694.5

　
公开一种具有高效率的薄膜型太阳能电池及其制造方法。所述薄膜型太阳能电池包括：基板；一个或多个前电极，布置在基板上使得前电极通过第一沟槽彼此分隔；布置在前电极上的半导体层，其中通过与第一沟槽相邻的第二沟槽去除部分半导体层；和一个或多个后电极，布置在第二沟槽和半导体层上使得后电极通过与第二沟槽相邻的第三沟槽彼此分隔，其中半导体层包括与第二沟槽相邻的一个或多个连接部件并被第二沟槽分开。基于这种结构，所述薄膜型太阳能电池及其制造方法通过用连接部件连接布置在第二沟槽两侧的半导体层提供了高光电转换效率。
专利号：201180056694.5
专利申请日：2011.09.21
公开（公告）日：2013.07.31
申请（专利权）人：周星工程股份有限公司
发明（设计）人：闵俊基;崔相洙
国别省市：韩国;KR