具有高光利用率的薄膜太阳能电池及制造方法 CN201210021847.9

　
本发明公开了一种具有高光利用率的薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池主要包括：一基板、一前电极、一P型半导体层、一本质(i)型半导体层、一N型半导体层、一第三透明导电层以及一背电极。通过多层透明导电膜的设置可增加前电极的雾度，本发明的薄膜太阳能电池可提升光利用率与整体光电转换效率。
专利号：201210021847.9
专利申请日：2012.01.31
公开（公告）日：2013.07.31
申请（专利权）人：亚树科技股份有限公司
发明（设计）人：李炳寰;张嘉宏;连水养
国别省市：台湾;71