一种太阳能电池的制备方法 CN201310070811.4

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在硅片正面形成绒面；在所述硅片正面进行P扩散，对所述硅片背面进行抛光，并生成SiO2层，同时去除周边P扩散层，然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃；所述硅片正面形成减反膜；在所述硅片的正面和背面分别进行丝网印刷形成电极。本发明提供的方法可以使硅片的背表面光亮如镜，有效提高硅片背面的反射率；另外，光滑的背表面可以形成更均匀的铝背场；同时生成的SiO2层具有表面钝化的作用，可以提高少子寿命。采用本发明制备方法制备的太阳能电池光电转换效率可得到极大提高。
专利号：201310070811.4
专利申请日：2013.03.05
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.22
分类号：
申请（专利权）人：浙江正泰太阳能科技有限公司
发明（设计）人：权微娟;李旺;刘石勇;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;李永辉;仇展炜
国别省市：浙江;33