一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法 CN201410081157.1

本发明公开了一种石墨烯硅基太阳能电池，包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜，所述由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面还设有栅线电极。本发明还公开了该石墨烯硅基太阳能电池的制造方法。该石墨烯硅基异质结电池通过栅线电极调节石墨烯硅基肖特基结的势垒大小，降低硅表面的电荷复合效应，提高载流子分离和传输的效率，从而提高电池的光电转换效率，同时解决现有石墨烯硅基太阳能电池光电转换效率随器件尺寸增大而降低的问题。
专利类型：发明
专利号：201410081157.1
专利申请日：2014.03.06
公开（公告）日：2014.06.04
申请（专利权）人：常熟理工学院
发明（设计）人：况亚伟;刘玉申;马玉龙;薛春荣;徐竞
国别省市：江苏;32