一种氧化镉基透光波段可调的导电薄膜制备方法 CN201310051684.3

本发明提供了一种氧化镉（CdO）基透光波段可调的导电薄膜制备方法。该方法的核心技术是导电薄膜的透光波段与导电薄膜中铟（In）组分的含量相关，In组分含量的变化与磁控溅射靶材、溅射功率，与靶材和基片之间的距离相关，导电薄膜厚度与薄膜沉积时间长短相关。该方法以双面抛光玻璃基片为衬底，将两种靶材的溅射参数调至设计数值，进行溅射沉积：测量获得透明导电薄膜中In的含量。本发明所制备的不同铟（In）含量的氧化镉（CdO）基透明导电薄膜，可供不同半导体材料体系太阳能电池选用，使光谱响应范围内的太阳光更多地射入太阳能电池半导体结构中，从而可最大限度地提高太阳能电池的光利用效率，在太阳能电池、光电探测等光电功能材料和器件领域中具有良好的应用前景。
专利号：201310051684.3
专利申请日：2013.02.17
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.15
分类号：
申请（专利权）人：淮阴师范学院
发明（设计）人：陈贵宾;翟章印;贾建明;于海春;华正和;赵金刚
国别省市：江苏;32