一种低表面杂质浓度的太阳能电池PN结的制备方法 CN201310324405.6

本发明公开了一种低表面杂质浓度的太阳能电池PN结的制备方法，属于半导体器件制备领域。本发明与现有制备方法的区别在于：恒定源扩散步骤在硅片表面形成扩散层，扩散层上含有一层磷硅玻璃层，先将磷硅玻璃层去除掉，然后再进行限定源扩散。本方法有效阻止了磷硅玻璃层中的磷在不通源的情况下继续向硅片内部扩散，有效降低了硅片表面的杂质浓度，减少了载流子在硅片表面的复合，从而提高了太阳能电池的转换效率和太阳能电池的性能。
专利类型：发明
专利号：201310324405.6
专利申请日：2013.07.30
公开（公告）日：2013.11.20
申请（专利权）人：保定天威英利新能源有限公司
发明（设计）人：张小盼;范志东
国别省市：河北;13