一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法CN201310151086.3

　
本发明公开了一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片放入扩散炉进行磷扩散；(2)将硅片保持在扩散炉中，以1~10℃/min的降温速率降温至780~800℃，通入干氧和大氮进行氧化处理，在硅片表面形成二氧化硅薄膜；(3)出舟；(4)将上述硅片放于HF溶液中进行清洗；(5)干燥处理。本发明开发了一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法，采用了“一步扩散和选择性清洗”的方法，既减少了太阳能电池制作的工序，又提升了太阳能电池的电性能，制得的太阳能电池组件又具有抗电位衰减效应的能力。
专利号：201310151086.3
专利申请日：2013.04.26
公开（公告）日：2013.08.07
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明（设计）人：万松博;龙维绪;王栩生;章灵军
国别省市：江苏;32