一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法 CN201210401579.3

本发明公开一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于它包括以下步骤：(1)在扩散炉内用热氧化方法在晶体硅表面生长一层二氧化硅薄膜；(2)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(1)得到的二氧化硅薄膜上沉积一层氮化硅薄膜；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)得到的氮化硅薄膜上沉积第二层氮化硅薄膜；(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面电极、背场后进行烧结操作。：本发明得到了由二氧化硅和氮化硅组成的三层氮化硅薄膜，该减反射膜可以明显降低电池表面对光的反射，提高晶体硅太阳能的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201210401579.3
专利申请日：2012.10.22
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：江苏晨电太阳能光电科技有限公司
发明（设计）人：张晨;张森林
国别省市：江苏;32