双面型太阳能电池结构的制造方法 CN201611216369.1

本发明公开一种双面型太阳能电池结构的制造方法，包括下列步骤：在半导体基材的第一表面上进行硼扩散的制造过程步骤，以形成P+型区域，并且在所述P+型区域上形成硼硅玻璃层；移除所述P+型区域上的所述硼硅玻璃层，以曝露所述P+型区域；在所述P+型区域上形成第一抗反射层；在所述第一抗反射层上形成牺牲层；在所述半导体基材的第二表面上进行磷扩散的制造过程步骤，以形成N+型区域并且在所述N+型区域形成一磷硅玻璃层；移除在所述N+型区域上的所述磷硅玻璃层以曝露所述N+型区域，并且同时移除在所述第一抗反射层上的所述牺牲层；以及，在所述N+型区域上形成第二抗反射层。牺牲层可以保护半导体基材的第一抗反射涂层，以避免针孔或缺陷的形成。
专利类型：发明
专利号：201611216369.1
专利申请日：2016.12.26
公开（公告）日：2017.08.01
申请（专利权）人：英稳达科技股份有限公司;
发明（设计）人：黄昱翔; 程昱达; 陈传祺; 林佳龙; 曹金豹; 简荣吾; 烟浩;
国别省市：china台湾;71