一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺 CN201310227823.3

　
本发明提供一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，所述工艺包括以下步骤：（1）进舟：将硅片放入石英舟中；（2）升温：通入氮气后升温；（3）预清洗：同时通入氮气和氨气并开启射频进行预清洗；（4）等离子溅射沉积：通入氨气和硅烷，开启射频等离子溅射沉积；（5）出舟；（6）冷却。本发明的有益效果是：缩短生产时间，提升生产产能，缩短工艺运行时间缩短6分钟；节省氨气使用量，降低生产成本；改善氮化硅薄膜的均匀性；提升电池片的转换效率；方法简单可行，不需要增加额外工序步骤和物料。
专利号：201310227823.3
专利申请日：2013.06.08
公开（公告）日：2013.09.11
申请（专利权）人：中利腾晖光伏科技有限公司
发明（设计）人：胡党平;付少剑;何伟;连维飞;苗成祥;魏青竹;保罗
国别省市：江苏;32