异质结太阳能电池及其制造方法 CN201510035564.3

一种异质结太阳能电池包含半导体基板、第一n型缓冲层、第二n型缓冲层、第一非晶硅半导体层、第二非晶硅半导体层、第一透明导电层以及第二透明导电层。其中，其制造方法首先是提供一半导体基板；接着在半导体基板的第一表面与第二表面上分别形成第一n型缓冲层与第二n型缓冲层；然后在第一n型缓冲层与第二n型缓冲层上分别形成第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层；接下来在第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层上分别形成第一透明导电层与第二透明导电层；最后在第一透明导电层与第二透明导电层上分别设置第一导线与第二导线，缓冲层具有降低界面缺陷浓度、降低阻值与增强场效应的钝化效果。
专利类型：发明
专利号：201510035564.3
专利申请日：2015.01.23
公开（公告）日：2016.08.17
申请（专利权）人：新日光能源科技股份有限公司;
发明（设计）人：陈芃;
国别省市：china台湾;71