一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺 CN201210534180.2

本发明公开了一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤：a.将清洗制绒后的硅片放入管式扩散炉中；b.升温至800-860oC，通入携带有POCl3的N2和O2，保持一定的时间；c.控制温度在800-860oC，停止通入携带有POCl3的N2，保持一定的时间；d.降低温度至室温，取出硅片，扩散完毕。这种高效浅结太阳能电池的扩散工艺，通过调整携带有磷源的氮气和氧气之间的流量，温度和时间，提高了方块电阻，大大降低了发射极中非活性P原子的浓度，从而大大降低了发射极饱和电流密度，显著提高太阳能电池的短波响应，提高太阳能电池的开路电压和短路电流。
专利类型：发明
专利号：201210534180.2
专利申请日：2012.12.12
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.13
分类号：
申请（专利权）人：泰通（泰州）工业有限公司
发明（设计）人：鲁伟明;初仁龙;费存勇;王志刚
国别省市：江苏;32