蓄能装置及其制造方法 CN201180027170.3

提供一种能够提高放电容量的蓄能装置和/或提供一种能够减小由反复充放电导致的电极退化的蓄能装置。提供一种包括用作活性材料层的晶体硅层的蓄能装置的电极。晶体硅层包括晶体硅区域、以及具有从该晶体硅区域向上突出的多个突起物的须状晶体硅区域。这些突起物包括第一突起物和第二突起物，第二突起物具有比第一突起物更大的沿轴的长度以及更尖锐的顶端。
专利类型：发明
专利号：201180027170.3
专利申请日：2011.05.09
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.30
分类号：
申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所
发明（设计）人：栗城和贵;汤川干央
国别省市：日本;JP