InGaN太阳能电池及其制作方法 CN201210319268.2

一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。
专利类型：发明
专利号：201210319268.2
专利申请日：2012.08.31
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.19
分类号：
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所
发明（设计）人：李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;杨辉
国别省市：北京;11