一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 CN201210369321.X

本发明公开一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8～12nm，折射率为2.3～2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18～24nm，折射率为2.0～2.1，第三层氮化硅薄膜的厚度为35～45nm，折射率为1.9～2.0。本发明还提供一种制备晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的方法，利用硅烷和氨气为原料，利用等离子体增强化学气相沉积方法，采用新的工艺参数，在硅片上镀三层折射率与膜厚不同的氮化硅薄膜体系，具有对设备要求不高，易于实现的优点。本镀膜工艺增强了镀膜的钝化效果，降低了减反射膜对光的反射率，从而提高太阳能电池的转换效率。三层氮化硅减反射膜能比单层减反射膜体系增加光电转换效率0.2～0.3%。
专利类型：发明
专利号：201210369321.X
专利申请日：2012.09.27
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.30
分类号：
申请（专利权）人：东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司
发明（设计）人：侯泽荣;黄仑;卢春晖;王金伟;崔梅兰
国别省市：江苏;32