铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法和应用 CN201310409032.2

本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的方法，包括如下步骤：（1）采用贫铜铜铟镓硒靶材，溅射第一贫铜铜铟镓硒预置层；（2）采用富铜铜铟镓硒靶材，在第一贫铜铜铟镓硒预置层上溅射富铜铜铟镓硒预置层；（3）采用贫铜铜铟镓硒靶材，在富铜铜铟镓硒预置层上溅射第二贫铜铜铟镓硒预置层；（4）热处理得到铜铟镓硒吸收层；贫铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为0.5～1.0，即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0；富铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为1.0～1.5，即1.0≤Cu/(In+Ga)≤1.5。该方法成膜质量好，制程简单，能耗低，污染小，可显著降低生产成本。
专利类型：发明
专利号：201310409032.2
专利申请日：2013.09.10
公开（公告）日：2014.01.15
申请（专利权）人：华中科技大学
发明（设计）人：缪向水;黄醒
国别省市：湖北;42