用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法 CN201210408491.4

一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构，包括：一钝化膜；一第一掺杂层，制作在钝化膜上的中间部位；一硅衬底，制作在第一掺杂层上的中间部位；一第二掺杂层，制作在硅衬底上，其长度大于衬底的长度，与第一掺杂层的长度相同；一钝化减反膜，制作在第二掺杂层上，其长度大于第二掺杂层的长度，与钝化膜长度相同；一第三掺杂层，制作在硅衬底的一侧，并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部；一第四掺杂层，制作在硅衬底的另一侧，并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部；一第一电极，制作在第三掺杂层上，该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平；一第二电极，制作在第四掺杂层上，形成电池单元；该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。
专利类型：发明
专利号：201210408491.4
专利申请日：2012.10.24
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.30
分类号：
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所
发明（设计）人：邢宇鹏;韩培德;范玉杰;王帅;梁鹏
国别省市：北京;11