多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法 CN201811399887.0

本发明涉及太阳能光伏电池领域，具体为一种多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法。利用模板辅助方法在透明导电基体上制备n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜，通过高温晶化、扩孔等一系列处理后，利用电化学沉积方法在n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜基底上沉积p型(或n型)氧化物薄膜，得到多孔单晶嵌套的全氧化物p‑n结，最后在表面蒸镀金属电极构建多孔单晶嵌套的全氧化物太阳能电池。本发明提供一种多孔单晶嵌套的全氧化物p‑n结构筑方法，并首次将该结构应用于全金属氧化物太阳能电池领域，展现出优异的光伏效应。
专利类型：发明
专利号：201811399887.0
专利申请日：2018.11.22
公开（公告）日：2020.05.29
申请（专利权）人：中国科学院金属研究所;
发明（设计）人：刘岗; 吴亭亭; 甄超; 成会明;
国别省市：辽宁;21