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多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法 CN201811399887.0


本发明涉及太阳能光伏电池领域,具体为一种多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法。利用模板辅助方法在透明导电基体上制备n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜,通过高温晶化、扩孔等一系列处理后,利用电化学沉积方法在n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜基底上沉积p型(或n型)氧化物薄膜,得到多孔单晶嵌套的全氧化物p‑n结,最后在表面蒸镀金属电极构建多孔单晶嵌套的全氧化物太阳能电池。本发明提供一种多孔单晶嵌套的全氧化物p‑n结构筑方法,并首次将该结构应用于全金属氧化物太阳能电池领域,展现出优异的光伏效应。
专利类型:发明
专利号:201811399887.0
专利申请日:2018.11.22
公开(公告)日:2020.05.29
申请(专利权)人:中国科学院金属研究所;
发明(设计)人:刘岗; 吴亭亭; 甄超; 成会明;
国别省市:辽宁;21


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