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薄膜太阳能电池及其制作方法 CN201110212704.1
本发明提供一种薄膜太阳能电池及其制作方法,包含依次堆栈的玻璃基板、第一电极层、光吸收层、第二电极层以及金属层。其中,第二电极层具有粗糙表面,所述粗糙表面具有若干个凹陷部,所述凹陷部宽度介于100nm~1600nm之间,且凹陷部深度小于800nm。 专利类型:发明 专利号:201110212704.1 专利申请日:2011.07.20 公开(公告)号: 公开(公告)日:2013.1.23 分类号: 申请(专利权)人:联相光电股份有限公司 发明(设计)人:赖光杰;蔡富吉;王仁宏 国别省市:台湾;71
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