薄膜太阳能电池及其制作方法 CN201110212704.1

本发明提供一种薄膜太阳能电池及其制作方法，包含依次堆栈的玻璃基板、第一电极层、光吸收层、第二电极层以及金属层。其中，第二电极层具有粗糙表面，所述粗糙表面具有若干个凹陷部，所述凹陷部宽度介于100nm～1600nm之间，且凹陷部深度小于800nm。
专利类型：发明
专利号：201110212704.1
专利申请日：2011.07.20
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.23
分类号：
申请（专利权）人：联相光电股份有限公司
发明（设计）人：赖光杰;蔡富吉;王仁宏
国别省市：台湾;71