一种生长GaN基LED的硅图形衬底及其制备方法 CN201210300173.6

本发明公开一种生长GaN基LED的硅图形衬底及其制备方法。硅图形衬底是在硅衬底表面刻蚀有周期性排列的矩形区域图案，每个矩形区域覆盖一层SiO2掩膜，且在SiO2掩膜中心光刻出Si表面。所述制备方法包括蒸镀、光刻、刻蚀等工艺，简单易行，成本较低，制备条件精确，可实现工业化生产。制备LED器件时，镀P型电极前，可用绝缘掩膜遮挡每个矩形区域图案中心刻出Si表面图形区域，因而降低电流在芯片高密度缺陷区域的流通，减少电子的非辐射复合，提高LED性能。另外，该结构中，SiO2阻隔GaN与硅衬底的接触，侧向生长GaN及LED结构，从而减少位错等缺陷，提高GaN和LED外延片质量，提高LED性能。
专利类型：发明
专利号：201210300173.6
专利申请日：2012.08.22
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：华南师范大学
发明（设计）人：李述体;易翰祥;王幸福
国别省市：广东;44