氮化物半导体发光元件及其制造方法 CN201210174859.5

本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件具有：生长用基板、形成于该生长用基板上的n型氮化物半导体层、形成于该n型氮化物半导体层上的发光层、形成于该发光层上的p型氮化物半导体层，该氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm2以下，该管孔从n型氮化物半导体层的位于发光侧的表面朝向基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。
专利类型：发明
专利号：201210174859.5
专利申请日：2012.05.30
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：夏普株式会社
发明（设计）人：笔田麻佑子
国别省市：日本;JP