一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法 CN201210203759.0

本发明涉及一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，通过表面结构处理、磷扩散、硼扩散、刻蚀、PECVD沉积、印刷及烧结步骤，制作得到单晶硅太阳能双面电池。与现有技术相比，本发明制作得到的太阳能电池的转化效率有了显著的提高，综合前后两面的总效率较单面电池片提高25～30％。
专利类型：发明
专利号：201210203759.0
专利申请日：2012.06.19
公开（公告）日：2014.01.15
申请（专利权）人：上海宇兆能源科技有限公司
发明（设计）人：郭文林;王建安;许琦;尹忠萍
国别省市：上海;31