用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法 CN201210169886.3

本发明提供了一种用于制造驱动电压被减小的III族氮化物半导体发光器件的方法。在该制造方法中，p覆层具有其中交替地沉积了具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN层以及InGaN层的超晶格结构。p-AlGaN层的生长温度是800℃至950℃。通过在将p-AlGaN层保持于生长温度的同时停止TMA的供应、引入TMI并增大Ga源气体的供应量，在p-AlGaN层上形成具有一至两个单层的厚度的InGaN层。由此，可以在保持良好的晶体质量的同时减小p覆层的厚度，从而减小驱动电压。
专利类型：发明
专利号：201210169886.3
专利申请日：2012.05.28
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：丰田合成株式会社
发明（设计）人：奥野浩司;宫崎敦嗣
国别省市：日本;JP