一种防金属离子污染的硅片烘干炉及硅片烘干方法 CN201210217835.3

本发明公开了一种防金属离子污染的硅片烘干炉及硅片烘干方法，烘干炉包括炉体、设在炉体内的加热装置、硅片传送装置和控制单元，炉体内壁为石英板，加热装置包括石英管远红外加热灯，硅片传送装置包括多条硅片平置轨道和相应传送机构，传送机构为往复式步进机构，炉膛内还充满保护气体，本发明的烘干炉内所有与硅片接触部位均采用石英材料制成，避免了硅片与金属零件的接触，往复式步进传送机构，解决了普通链式金属网带易产生金属离子污染或采用树脂网带在高温下老化快的难题，而在烘干过程中，硅片始终处于高纯氮气的保护中，提高了硅片的烘干质量。
专利类型：发明
专利号：201210217835.3
专利申请日：2012.06.28
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：杭州大和热磁电子有限公司
发明（设计）人：金重玄;戴明;毛金华;吴洪联;夏高生
国别省市：浙江;33