在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法及太阳能电池 CN201610431569.2

本发明提出了一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法和应用该方法获得的太阳能电池。该方法包括：清洗硅衬底的表面；在硅衬底的表面通过原子层沉积法沉积电介质薄膜，在温度T1低于350摄氏度下循环操作以下步骤直至电介质薄膜达到一预定厚度D1：持续供给含钛反应化合物，通过原子层沉积法使含钛反应化合物均一覆盖在硅衬底的表面，持续供给含钛反应化合物的时长t1；第一次氮气清洗，清洗时长t2。本发明提供的在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法和应用该方法获得的太阳能电池，能有效钝化硅衬底的表面，减少表面反射率，在提高硅太阳能电池的光电转换效率的同时简化了硅太阳能电池的生产工艺，降低生产成本。
专利类型：发明
专利号：201610431569.2
专利申请日：2016.06.15
公开（公告）日：2017.12.26
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司; 澳大利亚国立大学;
发明（设计）人：崔杰; 陈奕峰; 皮尔·沃林顿; 万义茂; 张昕宇; 安德烈斯·奎沃斯; 汤姆·艾伦;
国别省市：江苏;32