一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法 CN201210312764.5

本发明公开了一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法，包括：提供一待处理硅片；在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜；其中，沉积减反膜时，当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，进行减反膜沉积；在沉积下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理。本发明所述技术方案在沉积减反膜时，使得硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化，从而使得制备的减反膜的均匀性较好；且在形成下一层减反膜之前对反应室进行抽真空处理，避免上次沉积时反应残留的气体对当前要沉积的减反膜层的反应气体浓度造成影响，精确控制当前沉积减反膜层所需反应气体的浓度，从而精确控制当前要沉积的减反膜的厚度。
专利类型：发明
专利号：201210312764.5
专利申请日： 2012.08.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.28
分类号：
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：范志东;王静;张东升;赵学玲;吝占胜;李倩;田世雄
国别省市：河北;13