多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池 CN201210017945.5

本发明公开了一种多晶硅锭的制造方法，包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶，形成籽晶层，籽晶层的铺设方式为：由一整块与容器底部大小和形状基本相同的大块单晶籽晶铺设而成，或由多个小块单晶籽晶拼接而成，或由从所述多晶硅锭主体中切割下的块状板坯铺设形成；将固态的硅原料装载到籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化硅原料和部分籽晶层，形成液体层，至少保持与容器底部接触的部分籽晶层为固态；控制多晶硅锭生长炉内的热场，对液体层进行结晶形成结晶层，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动，完成多晶硅锭的生长。采用本发明的方法生产出的多晶硅锭杂质含量低，生产出的太阳能电池成本底、衰减系数低，光电转换效率高。
专利类型：发明
专利号：201210017945.5
专利申请日：2012.01.19
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.28
分类号：
申请（专利权）人：浙江思博恩新材料科技有限公司
发明（设计）人：郑志东;翟蕊;石郧熙;李娟;刘文涛;彭春球
国别省市：浙江;33