基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池制备方法 CN201210238099.X

本发明公开了基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池制备方法，其包括如下工艺步骤：在P型晶体硅衬底上制备制绒面；进行非晶硅薄膜的沉积；利用快速热退火过程形成硅量子点；形成一层硅量子点薄膜的制备；重复上述步骤二至步骤三多次，完成多层硅量子点薄膜的制备；形成PN结并进行恒定表面浓度扩散源的推进；在P型晶体硅衬底正面淀积Si3N4减反膜；在其背面和正面分别进行正、负电的丝网印刷；进行丝印电极的退火，完成基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池的制备。本发明的优点在于：有效地提升350-600nm短波段的量子效率，使得光电流增加，最终达到高效转换的目的。
专利类型：发明
专利号：201210238099.X
专利申请日：2012.07.11
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.24
分类号：
申请（专利权）人：辽宁朝阳光伏科技有限公司
发明（设计）人：王成林
国别省市：辽宁;21