晶硅太阳能电池及其制作方法 CN201210303448.1

本发明提供了一种晶硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括对硅片进行扩散制结、刻蚀、沉积减反射层、印刷电极及烧结的步骤，上述刻蚀的步骤包括：S1、将扩散制结后的硅片的边缘和背面采用等离子刻蚀法进行刻蚀；S2、采用硝酸和氢氟酸的第一混合酸液对刻蚀后的硅片正面进行处理，第一混合酸液中HNO3与HF的质量比为10:1~15:1，且第一混合酸液中HF的浓度为10~80g/L。本发明的刻蚀步骤首先采用等离子刻蚀法对硅片的边缘和背面进行刻蚀，实现将背面和正面绝缘的目的；然后采用含有硝酸和氢氟酸的第一混合酸液处理硅片正面，去除了扩散中形成的磷硅玻璃或硼硅玻璃以及硅片正面表层的高浓度磷掺杂区或高浓度硼掺杂区。
专利类型：发明
专利号：201210303448.1
专利申请日：2012.08.23
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.28
分类号：
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：马桂艳;宋连胜;李倩;刘莉丽
国别省市：河北;13