CIGS膜的制法和使用其的CIGS太阳能电池的制法 CN201280042573.X

　
为了提供即使在制造大面积元件时，也能低成本、再现性好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法和包括其的CIGS太阳能电池的制法，本发明包括：层叠工序，其中，在基板上以固相状态依次层叠包含铟、镓和硒的层（A）以及包含铜和硒的层（B）；加热工序，其中，对层叠了上述层（A）和层（B）的层叠体进行加热，使上述层（B）的铜和硒的化合物熔融并呈液相状态，由此使上述层（B）中的铜扩散到上述层（A）中，使晶体生长得到CIGS膜。
专利号：201280042573.X
专利申请日：2012.09.05
公开（公告）日：2014.04.30
申请（专利权）人：日东电工株式会社
发明（设计）人：西井洸人;森田成纪;寺地诚喜;细川和人;峯元高志
国别省市：日本;JP