沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 CN201210303193.9

本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1 。
专利类型：发明
专利号：201210303193.9
专利申请日：2012.08.23
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.21
分类号：
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：范志东;赵学玲;张小盼;解占壹;王涛;李永超
国别省市：河北;13