沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 CN201210303193.9
本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1 。
专利类型：发明
专利号：
201210303193.9专利申请日：
2012.08.23公开（公告）号：
公开（公告）日：
2012.11.21分类号：
申请（专利权）人：
英利能源（china）有限公司发明（设计）人：
范志东;赵学玲;张小盼;解占壹;王涛;李永超国别省市：
河北;13
