本发明涉及太阳能电池(1)，其包含半导体晶片(3)，布置在半导体晶片(3)上的至少一个介电层(5)，布置在该介电层上的金属层(7)，以及布置在介电层(5)中的接触结构，使得该接触结构提供在金属层(7)和半导体晶片(3)之间的电连接，其中该接触结构带有至少一个具最小维度的第一结构(9a)和至少一个具最大维度的第二结构(9b)，其中该最小维度和该最大维度沿着半导体晶片(3)的表面被限定，而第一结构(9a)的最小维度大于第二结构(9b)的最大维度。此外，本发明涉及生产太阳能电池的方法，其包含以下方法步骤：提供带有至少一个介电层(5)的半导体晶片(3)，在介电层(5)上形成金属层(7)以及在介电层(5)中布置接触结构，使得该接触结构提供在金属层(7)和半导体晶片(3)之间的电连接，其中至少一个带有最小维度的第一结构(9a)和至少一个带有最大维度的第二结构(9b)被形成为接触结构，使得第一结构(9a)的最小维度大于第二结构(9b)的最大维度。
专利类型：发明
专利号：
201280035113.4专利申请日：
2012.06.26公开（公告）日：
2014.04.30申请（专利权）人：
汉华Q电池有限公司发明（设计）人：
A·斯捷科利尼科夫;R·塞甘;M·科允塔普;M·舍夫;彼得·恩格尔哈特;M·海曼;T·巴特尔;M·特雷格国别省市：
德国;DE
