凹凸化硅基板的制造方法、处理装置和太阳能电池元件的制造方法 CN201310128541.8

在使用碱性的蚀刻液的太阳能电池基板的凹凸结构的制造中，与蚀刻液的使用经历无关，硅基板的蚀刻速率稳定，稳定地并且均一性良好地制造一定的凹凸形状。使用如下制造方法，其包括：将含有添加剂的碱性的蚀刻液5用设置于循环管线的管线加热器加热的工序，将直径1μm～1mm的氢气散气注入蚀刻液5的工序，和将硅基板4浸渍于处理槽1内的蚀刻液5的工序。
专利类型：发明
专利号：CN201310128541.8
专利申请日：2013.04.15
公开（公告）日：2013.10.30
申请（专利权）人：三菱电机株式会社
发明（设计）人：松本纪久
国别省市：日本;JP