一种深孔交错背接触太阳能电池结构及其制造方法 CN201210294009.9

本发明涉及将光能转换为电能的光伏器件，具体涉及一种深孔交错背接触太阳能电池结构及其制造方法。通过采用激光烧蚀的方法，在后表面交错形成的P+型扩散区和N+型扩散区上表面分别形成多个深度相等的深孔，该深孔深度并没有到达硅衬底正表面的掺杂区。该深孔分别与所在扩散区具有相同的掺杂浓度和掺杂深度。本发明通过在基极和发射极上制造深孔的方法解决了传统交错背电极方案存在的因载流子传输距离长而引起的部分短寿命载流子不能有效收集和串联电阻大的问题。这种深孔结构大大缩短了光生载流子的扩散距离，因此，既收集到更多的光生载流子减小了光生载流子的复合损耗，又减小了电池的串联电阻，从而进一步提高了太阳能电池的转换效率。
专利类型：发明
专利号：201210294009.9
专利申请日：2012.08.17
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.14
分类号：
申请（专利权）人：天津中环半导体股份有限公司
发明（设计）人：王云峰;杜春倩;郐学良;饶祖刚;王志刚
国别省市：天津;12