硅基薄膜太阳能电池背电极及制造方法、硅基薄膜太阳能电池 CN201310491345.7

本发明提供一种硅基薄膜太阳能电池背电极及其制造方法，本发明还提供一种硅基薄膜太阳能电池。其中，本发明提供的硅基薄膜太阳能电池背电极包括：设置于所述太阳能电池发电层上的保护阻挡层，以及设置于所述保护阻挡层上的背电极材料层；其中，所述保护阻挡层含有氧化锌的膜层或为氧化锌组合物膜层。本发明可显著提高太阳能电池的光电转换率。
专利类型：发明
专利号：201310491345.7
专利申请日：2013.10.21
公开（公告）日：2014.03.05
申请（专利权）人：福建铂阳精工设备有限公司
发明（设计）人：彭长涛;徐希翔;张津燕;汪荣峰;胡安红;曲铭浩
国别省市：福建;35