一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法 CN201210245228.8

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法，包括如下步骤：(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，升温至800~1100℃，通入氧气进行氧化，氧化时间为1~30min；(2)保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃，通硼源、氧气和氮气进行硼扩散；(3)停止通源，保持温度或降温至800~900℃，在氮气气氛下保温5~50min；(4)降温，出舟，完成扩散过程。本发明的扩散方法可以提高硼扩散的均匀性，避免或减少富硼层的形成，提高硅片的少子寿命，同时可以保持较高的表面杂质浓度，有利于形成良好的欧姆接触，从而提高电池性能。
专利类型：发明
专利号：201210245228.8
专利申请日：2012.07.16
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.7
分类号：
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（china）投资有限公司
发明（设计）人：殷涵玉;王栩生;章灵军
国别省市：江苏;32