一种单体水平电池及其制造方法 CN201610248443.1

本申请公开了一种单体水平电池及其制造方法，所述单体水平电池包括水平放置的正端子极板、隔膜和负端子极板。正端子极板1和负端子极板2，从下往上，交替地水平放置，上下相邻的正端子极板1和负端子极板2之间都设置有隔膜9，其中正端子极板1具有端线的一边都位于第一方位，负端子极板2具有端线的一边都位于第二方位，第一方位和第二方位相邻或相对。本申请提供的单体水平电池及其制造方法，能够节约用料，解决水平双极性电池极板正负铅膏比例不一致而影响电池深度放电使用寿命，保证实现单元格间极群的良好密封，减少水平电池自放电，提高水平电池一致性和电池寿命，同时保证保持水平电池的其它优异性能(如大电流充放电)不受影响。
专利类型：发明
专利号：201610248443.1
专利申请日：2016.04.20
公开（公告）日：2017.10.31
申请（专利权）人：深圳市佰特瑞储能系统有限公司;
发明（设计）人：涂晓松; 韩祖孟; 彭泽军;
国别省市：广东;44