一种合成钾硅储氢合金的方法 CN201210255042.0

本发明属于材料制备技术领域，具体为一种合成钾硅（KSi）储氢合金的方法。该方法为利用高压惰性气体抑制金属钾在高温下的挥发，通过固液反应并在降温过程中自提纯，从而合成KSi合金。具体是在隔绝空气条件下，将金属钾和硅粉的混合物装入具有自回流结构的反应器中，在高压惰性气氛下，将反应器升温至500℃保温3天后再降温至150℃、降压至常压保温2小时。利用本发明方法合成钾硅储氢合金，具有反应简便，产率高等优点。合成的钾硅合金是一种性能优良的储氢材料，可在150℃、4MPa氢气压力下加氢，在250℃、0.1MPa压力下脱氢且具有良好的可逆循环性能。
专利类型：发明
专利号：201210255042.0
专利申请日：2012.07.23
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.7
分类号：
申请（专利权）人：复旦大学
发明（设计）人：孙大林;方方;李永涛
国别省市：上海;31